1.  四探針電阻率測(cè)試儀

四探針法—本方法快速且不需要樣品有規(guī)則的橫截面。本測(cè)試方法可用于不規(guī)則形狀的樣品，只要它有適于探針接觸的平面區(qū)域即可。如本標(biāo)準(zhǔn)所述，本測(cè)試方法只適用于厚度和任一探針尖到zui近邊緣的距離都至少為探針間距的四倍的樣品。對(duì)于厚度大于探針間距一倍而小于四倍的圓形橫截面樣品這樣特定的場(chǎng)合，用本方法進(jìn)行測(cè)量是可行的，測(cè)量中要求使用的近似幾何修正可使測(cè)量精度提高。

四探針電阻率/方阻測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱電阻率測(cè)試儀）是參考按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造，用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。它主要由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱：主機(jī)）、測(cè)試架及四探針頭組成。主機(jī)提供精度為0.1%的恒流源，使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。，儀器配置了本公司的產(chǎn)品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。

2.      四探針電阻率/方阻測(cè)試儀設(shè)備技術(shù)要求及性能指標(biāo)：

3.  四探針電阻率測(cè)試儀測(cè)量范圍：電阻率0.01～199.9歐姆·厘米，zui小分辨率為0.01歐姆·厘米

方塊電阻0.1～1999歐姆/□，zui小分辨率為0.1歐姆/□

2.1     可測(cè)量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等

2.2     可準(zhǔn)確測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜

2.3     可測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜

2.4     測(cè)量方式：平面測(cè)量。

2.5     電壓表：

A.量程0~199.9 mV

B. 靈敏度：100μv

C.基本誤差0.2%（±2個(gè)字）

D.輸入阻抗﹥1000MΩ

E. 3 1/2位數(shù)字顯示，0～1999

2.6     恒流源：

A.電流輸出：直流電流0.1～10 mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給

B.量程： 1 mA，10 mA兩檔

 C.恒流源精度：各檔均≤±0.1%

2.7     四探針測(cè)試探頭B級(jí)

A.探頭間距1.59㎜    

B.探針機(jī)械游率：±0.5%

C.探針直徑0.8㎜，探針針尖壓痕直徑30-50μm，探針合力8±1N  

D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于10⁹歐姆。

2.8   四探針電阻率測(cè)試儀

2.9     測(cè)試架

JCKDJ-1A 型手動(dòng)測(cè)試架探頭上下由手動(dòng)操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測(cè)試，探針頭可上下移動(dòng)距離：120mm，測(cè)試臺(tái)面200x200（mm）。

2.10  精度

電器精度：1-100歐姆≤0.4 %

整機(jī)測(cè)量精度：1-100歐姆·厘米≤5%

固定點(diǎn)測(cè)量重復(fù)性：1-10歐姆·厘米≤3%

電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤25